Nvidia ne s’engage pas dans le développement de la mémoire flash « Next Gen »

Samsung Electronics s’est associé à Nvidia pour accélérer le développement de la prochaine génération de puces mémoire flash NAND. L’équipe de recherche conjointe a mis au point un modèle d’IA appelé PINO, capable d’analyser les performances des dispositifs NAND ferroélectriques 10 000 fois plus vite que les méthodes analytiques conventionnelles.

Nvidia est omniprésente, même dans le développement de la prochaine génération de modules NAND, ces puces de mémoire flash présentes notamment dans les SSD. Cette semaine, le Seoul Economic Daily a révélé que Samsung Electronics s’est associé à Nvidia pour accélérer la création de ses nouvelles puces… grâce à l’IA.

Plus précisément, les deux entreprises collaborent sur un système d’intelligence artificielle capable d’améliorer considérablement la recherche et le développement de mémoires NAND à très faible consommation d’énergie, en utilisant des matériaux ferroélectriques. Les résultats obtenus dans ce domaine influenceront en partie les performances de la future génération de puces mémoire.

La R&D de Samsung renforcée par l’IA de Nvidia

Selon le SEDaily, une équipe de recherche conjointe composée de l’Institut de recherche en semi-conducteurs de Samsung Electronics, de Nvidia et du Georgia Institute of Technology a créé un modèle d’IA nommé PINO (pour « Physics-Informed Neural Operator »). Ce modèle représente une avancée dans le secteur industriel et la recherche et développement. Il est capable d’analyser les performances des dispositifs NAND ferroélectriques 10 000 fois plus vite que les méthodes d’analyse traditionnelles.

On comprend donc pourquoi il a été question d’une méthode capable de « doper considérablement » la R&D dans ce domaine.

L’utilisation de matériaux ferroélectriques pour les futures puces NAND, en lieu et place du silicium traditionnel, est également d’un grand intérêt. Ces matériaux sont en effet capables de maintenir une polarisation (la séparation des charges positives et négatives) sans alimentation électrique continue, ce qui les rend idéaux pour la conception de modules NAND à très faible consommation.

Cependant, l’utilisation de ces nouveaux matériaux ferroélectriques nécessite des recherches approfondies pour déterminer leurs caractéristiques précises pour cette utilisation (les modules NAND), le niveau de tension qu’ils peuvent supporter et la quantité de données qu’ils peuvent stocker. C’est là que l’IA développée par Nvidia et Samsung devient essentielle.

Jusqu’à présent, les chercheurs de Samsung Electronics comptaient sur la conception assistée par ordinateur, combinée à des outils d’analyse nécessitant près de 60 heures de calcul par opération. Selon le Seoul Economic Daily, l’équipe de recherche de Samsung et Nvidia a réussi à réduire ce temps de traitement à moins de 10 secondes en utilisant une intelligence artificielle formée selon les lois de la physique.

À terme, ces recherches pourraient aboutir à la fabrication de modules de mémoire flash NAND consommant jusqu’à 96 % d’énergie en moins que les modules actuels, avec des implications significatives pour l’industrie.